[Published online Journal of Computer Chemistry, Japan Vol.18, 176-186, by J-STAGE]
<Title:> 原子欠損あるいはBoronやNitrogen原子置換を有するグラフェン並びにシリセンの電子構造
<Author(s):> 佐藤 万紗子, 鈴木 郁哉, 神保 佳永子, 武田 京三郎
<Corresponding author E-Mill:> takeda(at)waseda.jp
<Abstract:> 第一原理クラスター計算により決定された局所構造変形を採り入れたグラフェンおよびシリセンにおける原子欠損並びに原子置換に伴う電子状態を強結合(Tight Binding; TB)バンド計算を用いて算出した． 置換原子としてはπ電子欠損を発生するBoron (B)およびπ電子余剰を発生するNitrogen (N)，さらにはBとN対置換を含むπ電子補償系を考察し，それらのバンド構造を明らかにした．
<Keywords:>
<URL:> https://www.jstage.jst.go.jp/article/jccj/18/4/18_2019-0009/_article/-char/ja/
